首尔，2月27日(韩联社)——三星电子公司周二表示，它已经开发出了第五代高带宽内存(HBM)芯片，该芯片具有12层DRAM芯片，有助于引领先进芯片蓬勃发展的市场。

三星电子表示，该产品的容量为36gb，是业界最大的容量，计划在今年上半年(1 ~ 6月)批量生产。

HBM芯片越来越受欢迎，因为它们在驱动生成式人工智能系统(如OpenAI的ChatGPT)方面发挥了重要作用。

三星电子表示，新一代HBM3E 12H在性能和容量方面都比第四代HBM3 8H提高了50%。

它可以以每秒1280gb的速度处理数据，相当于在一秒钟内上传或下载40多部30GB容量的超高清电影。

该公司表示，已经开始向客户交付HBM3E 12H的样品。

三星电子的“先进热压缩非导电膜(Advanced TC NCF)”技术，使12层堆叠产品在保持与8层堆叠产品相同高度的情况下，符合HBM封装规格。

三星电子表示，为了满足日益增长的人工智能芯片需求，今年将把HBM产能增加到去年的2.5倍，维持在业界最高水平的HBM供应能力。

该公司补充说，第六代HBM4也将在2025年进行样品测试，并在2026年进行大规模生产。

三星电子表示，为了引领大容量HBM市场，将开发满足人工智能服务客户的大容量解决方案需求的创新产品，并不断努力开发HBM芯片的高水平堆叠技术。

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